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J-GLOBAL ID：200903077366242749

絶縁膜用樹脂組成物及びこれを用いた絶縁膜

Inventor：
沖 博美

About 沖 博美

, 
長谷 陽子

About 長谷 陽子

, 
榎 尚史

About 榎 尚史


Applicant, Patent owner：
住友ベークライト株式会社

About 住友ベークライト株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001262440
Publication number (International publication number)：2002161204
Application date： Aug. 30, 2001
Publication date： Jun. 04, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体用途において、優れた耐熱性を維持し、低誘電率化を可能とする絶縁膜用樹脂組成物およびこれを用いた絶縁膜を提供する。【解決手段】 一般式(1)で表されるジアミノフェノール化合物(A)と、該化合物のアミノ基と反応しうるd価の有機基を有する化合物(dは3以上10以下)(B)と、ジカルボ酸化合物(C)とを反応させてなるポリアミド(D)、及びオリゴマー(E)を必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。およびこれを用いた絶縁膜。(但し、式中のXは式(2)で表される構造より選ばれる基を表す。)
Claim (excerpt)：
一般式(1)で表されるジアミノフェノール化合物(A)と、該化合物のアミノ基と反応しうるd価の有機基を有する化合物(dは3以上10以下)(B)と、一般式(3)で表されるジカルボン酸化合物(C)とを反応させてなるポリアミド(D)、及びオリゴマー(E)を必須成分とする絶縁膜用樹脂組成物。【化1】(但し、式中のXは式(2)で表される構造より選ばれる基を表す。)【化2】【化3】(但し、式中のYは式(4)または式(5)で表される構造より選ばれる基を表す。)【化4】【化5】(但し、式(2)及び式(5)中のZは式(6)で表される構造より選ばれる基を示す。また、式(2)、式(4)および式(6)の構造中、ベンゼン環上の水素原子は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、フッ素原子、及びトリフルオロメチル基からなる群より選ばれる、少なくとも1個の基で置換されていても良い。)【化6】
IPC (7)：
C08L 77/06 ,  C08G 69/26 ,  C08G 73/22 ,  C08L101/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D179/04 ,  H01L 21/312
FI (7)：
C08L 77/06 ,  C08G 69/26 ,  C08G 73/22 ,  C08L101/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D179/04 B ,  H01L 21/312 B
F-Term (57)：
4J001DA01 ,  4J001DB02 ,  4J001DD05 ,  4J001EB36 ,  4J001EB37 ,  4J001EB46 ,  4J001EB56 ,  4J001EB57 ,  4J001EB60 ,  4J001EB64 ,  4J001EC23 ,  4J001EC44 ,  4J001EC54 ,  4J001EC67 ,  4J001EC70 ,  4J001EC74 ,  4J001FA03 ,  4J001FB03 ,  4J002BC032 ,  4J002BC092 ,  4J002BG062 ,  4J002CH022 ,  4J002CK022 ,  4J002CL071 ,  4J002GQ01 ,  4J038DJ001 ,  4J038LA02 ,  4J038MA14 ,  4J038NA04 ,  4J038NA11 ,  4J038NA14 ,  4J038NA17 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PB11 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  4J043QB23 ,  4J043RA52 ,  4J043SA06 ,  4J043SA71 ,  4J043SB01 ,  4J043TA25 ,  4J043TA27 ,  4J043UA112 ,  4J043UA122 ,  4J043UA152 ,  4J043YA06 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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