電界効果型トランジスタ、これを用いた画像表示装置及び半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004037047
Publication number (International publication number)：2005228968
Application date： Feb. 13, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】有機FETにおいて、簡易に閾値電圧を制御することができる電界効果型トランジスタを提供すること。【課題手段】本発明の電界効果型トランジスタは、ソース電極3と、ドレイン電極4と、ソース電極3とドレイン電極4と間のチャネル層となる有機半導体層2と、有機半導体層2に電界を加えるように配置されたゲート電極1と、有機半導体層2とゲート電極1との間に形成されたゲート絶縁膜5とを備え、ゲート絶縁膜5と有機半導体層2との間に閾値制御層7が形成され、閾値制御層7によってゲート電圧の閾値が制御される。本発明によれば、ゲート絶縁膜5と有機半導体層2との間に、閾値電圧を制御する閾値制御層7が形成されているので、閾値制御層7によってゲート電圧の閾値を制御することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース電極と、ドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極と間のチャネル層となる有機半導体層と、有機半導体層に電界を加えるように配置されたゲート電極と、有機半導体層とゲート電極との間に形成されたゲート絶縁膜とを備え、ゲート絶縁膜と有機半導体層との間に閾値制御層が形成され、閾値制御層によってゲート電圧の閾値が制御される電界効果型トランジスタ。

IPC (8)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/105 , H01L51/00

FI (10)：

H01L29/78 617U , H01L27/08 331E , H01L21/82 D , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/28 , H01L27/08 321D , H01L27/08 321K , H01L27/10 444B

F-Term (61)：

5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB14 , 5F048BB17 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F064BB03 , 5F064BB04 , 5F064BB06 , 5F064BB07 , 5F064CC09 , 5F064CC25 , 5F064FF24 , 5F083FR01 , 5F083GA30 , 5F083HA02 , 5F083JA01 , 5F083PR00 , 5F083PR23 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機半導体装置及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-264964 Applicant：株式会社日立製作所

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