半導体メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992156911
Publication number (International publication number)：1994005803
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】積層型のメモリセルアレーと周辺回路を有し、層間配線のショート等の不具合を生じない半導体メモリを提供する。【構成】積層型のメモリセルアレーと周辺回路を有する半導体メモリにおいて、前記メモリセルアレー20の周囲に、該メモリセルアレー20の段差以下の段差を有するダミーパターン21を設ける。

Claim (excerpt)：

積層型のメモリセルアレーと周辺回路を有する半導体メモリにおいて、前記メモリアレーの周囲に、該メモリセル段差以下の段差を有するダミーパターンを設けたことを特徴とする半導体メモリ。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 27/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-087366
特開平4-093071
特開平4-335569

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