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J-GLOBAL ID：200903077380854633

MIS半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男 ,  長野 克人
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995099949
Publication number (International publication number)：1996274087
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 C-V特性にヒステリシスがみられず良好なMIS特性を示すMIS半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。【構成】 本発明のMIS半導体デバイスは、Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成された絶縁層とを備えるMIS半導体デバイスにおいて、前記絶縁層が、ZrO2 を主成分とする単一配向エピタキシャル膜により形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

Si単結晶基板と、このSi単結晶基板上に形成された絶縁層とを備えるMIS半導体デバイスにおいて、前記絶縁層が、ZrO2 を主成分とする単一配向エピタキシャル膜により形成されていることを特徴とするMIS半導体デバイス。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 多層半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068212   Applicant：株式会社ジャパンエナジー