シリコンウエーハの再生方法及び再生ウエーハ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003327704
Publication number (International publication number)：2005093869
Application date： Sep. 19, 2003
Publication date： Apr. 07, 2005
Summary：

【課題】シリコンウエーハ上に形成されている薄膜、例えば金属薄膜等を除去するとともに、ウエーハの内部に拡散している不純物を低減して、金属汚染の殆ど無いシリコンウエーハを安定して得ることのできるシリコンウエーハの再生方法を提供する。【解決手段】表面に薄膜が形成されているシリコンウエーハを再生する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハに形成されている薄膜を除去する薄膜除去工程と、該薄膜が除去されたシリコンウエーハの少なくとも一方の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを含み、前記鏡面研磨工程を行う前に、前記シリコンウエーハの少なくとも一方の面にダメージ負荷を与えるゲッタリングサイト形成処理を行ってから該シリコンウエーハに熱処理を施して、シリコンウエーハ内部の不純物を低減することを特徴とするシリコンウエーハの再生方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

表面に薄膜が形成されているシリコンウエーハを再生する方法であって、少なくとも、前記シリコンウエーハに形成されている薄膜を除去する薄膜除去工程と、該薄膜が除去されたシリコンウエーハの少なくとも一方の面を鏡面研磨する鏡面研磨工程とを含み、前記鏡面研磨工程を行う前に、前記シリコンウエーハの少なくとも一方の面にダメージ負荷を与えるゲッタリングサイト形成処理を行ってから該シリコンウエーハに熱処理を施して、シリコンウエーハ内部の不純物を低減することを特徴とするシリコンウエーハの再生方法。

IPC (3)：

H01L21/322 , H01L21/02 , H01L21/304

FI (5)：

H01L21/322 M , H01L21/02 B , H01L21/304 601S , H01L21/304 621B , H01L21/304 621C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

銅膜付着シリコン単結晶ウエーハの再生方法および再生ウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-355475 Applicant：三益半導体工業株式会社

Cited by examiner (3)

特開昭51-019966
特開昭56-013737
ウエハーまたは基板材料の再生方法および再生設備
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-041904 Applicant：株式会社神戸製鋼所

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