Pat

J-GLOBAL ID：200903077416817004

半導体装置

Inventor： 山口 憲 ,  中川 清和 ,  杉井 信之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999216332
Publication number (International publication number)：2001044425
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Siバンド不連続で接合する層との組合せを用いて、低消費電力で高速な電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供すること。【解決手段】電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層4にバンド不連続半導体層5を設けることによりキャリアの基板側への侵入を防止し、これにより短チャネル効果を抑止し、且つ、キャリアの移動度を無歪のチャネル形成層の材料より大きくする。【効果】高速かつ低消費電力の相補型電界効果トランジスタを実現できる。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層の伝導帯と価電子帯とを有する第1の半導体層と、該チャネル形成層の伝導帯および価電子帯と不連続となる伝導帯および価電子帯とを有する第2の半導体層と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 29/163 ,  H01L 29/78 613 A

F-Term (32)：

5F040DA01 ,  5F040DA03 ,  5F040DA18 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EE06 ,  5F040EM02 ,  5F040EM03 ,  5F040EM04 ,  5F040FC05 ,  5F040FC14 ,  5F048AA00 ,  5F048BA03 ,  5F048BA09 ,  5F048BA10 ,  5F048BB05 ,  5F048BB14 ,  5F048BD09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG39 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110QQ30