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J-GLOBAL ID：200903077444156161

半導体装置とその製造方法

Inventor： 入間田 修一 ,  福世 秀秋 ,  大橋 建夫 ,  澤田 進
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992351108
Publication number (International publication number)：1994177128
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置において銅配線材料を使用するに際して耐酸化性を向上させるための熱処理温度が500°C以下ですむ技術を確立する。【構成】 0.02〜20原子%アルミニウム及び/または0.02〜20原子%シリコンを含有する銅合金薄膜配線を備える半導体装置。この組成の薄膜配線は、500°C以下の温度での熱処理で表面酸化膜を形成する。この酸化膜は、図1に示すようにバルク部分からのAlやSiが拡散濃縮しており、酸化に対するバリア層として機能する。配線バルク部分はAlやSiが表面に拡散したために純銅に近く、銅固有の低抵抗、耐EM性、耐SM性を保持する。形成された銅合金配線は比抵抗が10μΩ・cm以下でしかも耐酸化性を備えるため、今後の半導体装置の集積度の増大に対応しうる。

Claim (excerpt)：

0.02〜20原子%アルミニウム及び/または0.02〜20原子%シリコンを含有し、残部が銅及び不可避不純物である銅合金からなる薄膜配線を基板上に備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-124238
  
• 特開平1-248538
  
• 集積回路の配線及びその構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243350   Applicant：三菱電機株式会社