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J-GLOBAL ID：200903077473456697

プラズマ処理装置に用いる電極及びプラズマ処理装置

Inventor： 桐村 浩哉 ,  村坂 英輔
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993078028
Publication number (International publication number)：1994291057
Application date： Apr. 05, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ中の気相反応で発生する微粒子が処理対象基板に付着することを抑制することができる、プラズマCVD装置に用いる、処理用ガスを供給する孔を設けた電極及びプラズマ処理装置を提供する。【構成】 排気ポンプ52を付設した真空容器1内に導入される処理用ガスをポンプ52の運転による所定真空度のもとにプラズマ化させ、該プラズマのもとで処理対象基板S1に目的とする成膜を行うプラズマCVD装置であって、成膜用ガスを供給する孔83を有し、該孔83を、基板S1面と平行に形成した高周波電極8を備え、該電極の、プラズマ領域へ向けられる表面にプラズマ中の気相反応で発生する微粒子Pを集め、捕獲し、微粒子排除方向へ導くための電界降下部を提供する溝81を形成し、ガス供給孔83は溝81の側壁に設け、電極8による微粒子排除方向がポンプ52による排気方向aに揃うように電極8及びポンプ52を配置したプラズマCVD装置。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理装置に用いる、処理用ガスを供給する孔を設けた電極であって、前記ガス供給孔を、処理対象基板へ直接向かう方向からずれた方向に向くように形成してあることを特徴とする電極。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-019326
  
• 特開平3-040427
  
• 超精密鏡面加工方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-100347   Applicant：株式会社ユーハ味覚糖精密工学研究所, 森勇藏