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J-GLOBAL ID：200903077518799205

窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法

Inventor： 花岡 大介 ,  古川 勝紀
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995344219
Publication number (International publication number)：1997186364
Application date： Dec. 28, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層に対して密着性が良く、物理的強度が強い電極層を得る。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体層13,17に接して、多結晶GaN電極層19,18を形成する。これらの多結晶GaN電極層19,18は、従来の金属電極層に比べて窒化物系III-V族化合物半導体層との密着性が良好であり、物理的強度も強い。また、これらの多結晶GaN電極層19,18は発光波長に対する透過率が高いので、発光の外部への取り出し効率も高く、また、窒化物系III-V族化合物半導体層に対するオーミック性も良好である。

Claim (excerpt)：

少なくとも1層以上の窒化物系III-V族化合物半導体層を有する半導体装置において、該窒化物系III-V族化合物半導体層に接して、多結晶GaNまたは非単結晶GaNからなる電極層が設けられている窒化物系III-V族化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/46 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-188977
  
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭61-179527