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J-GLOBAL ID：200903077528019011

磁界センサの設置構造

Inventor： 豊田 一実
Applicant, Patent owner： 内橋エステック株式会社
Agent (2)： 鈴江 正二 ,  木村 俊之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003278122
Publication number (International publication number)：2005043238
Application date： Jul. 23, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】 1軸指向性を有する複数の磁界検出センサを小型コンパクトに組み付けるにあたり、近接する磁界発生源(他の磁界センサ)からの磁束影響を受けない磁界センサ同士の配置関係を定めた磁界センサの配設構造を提供する。 【解決手段】 磁界検出装置に必要な当該磁界センサの磁界検出分解能を満足する、当該磁界センサの検出磁界強度をH、当該磁界センサの位置に形成する磁界ベクトルのうち他の磁界センサ等の発する磁界影響を受ける感磁軸方向の大きさをm、他の磁界センサの磁界強度をM、当該磁界センサから見た他の磁界センサ等の磁界発生源の角度をα、当該磁界センサと他の磁界センサ等の距離をr、他の磁界センサ等の姿勢角をβ、γ、としたときに、m(M,r,α,β,γ)≧Hを満たす距離内に他の磁界センサを設置しないようにする。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

磁界検出特性に一軸指向性を有した、複数の磁界センサを設置した磁界検出装置であって、磁界センサ自体が磁界発生源であるか、もしくは磁界センサ近傍に設置した磁界発生源を有した磁界センサにおいて、 磁界検出装置に必要な当該磁界センサの磁界検出分解能を満足する、当該磁界センサの検出磁界強度をH、 他の磁界センサの発する磁界もしくは他の磁界センサ近傍に設置した磁界発生源の発する磁界が、当該磁界センサの位置に形成する磁界ベクトルのうち、これらの磁界の影響を受ける当該磁界センサの感磁軸方向の大きさをm、 他の磁界センサもしくは他の磁界センサ近傍に設置した磁界発生源の磁界強度をM、 当該磁界センサから見た他の磁界センサもしくは他の磁界センサ近傍に設置した磁界発生源の角度をα、 当該磁界センサと他の磁界センサもしくは他の磁界センサ近傍に設置した磁界発生源の距離をr、 他の磁界センサもしくは他の磁界センサ近傍に設置した磁界発生源の姿勢角をβ、γ、 としたとき、 m(M,r,α,β,γ)≧H を満たす距離内に他の磁界センサを設置しないことを特徴とする磁界センサの設置構造。

IPC (1)：

G01R33/02

FI (1)：

G01R33/02 L

F-Term (2)：

2G017AA02 ,  2G017AD01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電子コンパス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-225392   Applicant：アルプス電気株式会社, 井上明久