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J-GLOBAL ID：200903077544006981

窒化物半導体結晶の製造方法

Inventor：
上松 康二

About 上松 康二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002219059
Publication number (International publication number)：2004059363
Application date： Jul. 29, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Summary：
【課題】エピタキシャル成長速度が均一であって、きれいな劈開性をもち低転位の単結晶窒化ガリウム結晶を製造する。【解決手段】異種基板の上に多数の孤立した遮蔽部を形成しGaNを気相成長させて遮蔽部に続く閉鎖欠陥集合領域Hを有する充分に厚いGaN結晶を製造し、裏面の基板を除き研磨するか、あるいはGaN結晶を面と平行に切り出して100μm〜500μmの厚みの自立したGaN骨格基板とし、塩化水素ガスによるドライエッチングをしてGaN骨格基板から閉鎖欠陥集合領域Hを除き、単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yだけを含むGaN骸骨基板とし、GaN骸骨基板の上にGaNを気相成長させて閉鎖欠陥集合領域Hを含まないGaN脱欠陥集合結晶を製造する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
異種基板の上に多数の孤立した遮蔽部を形成しGaNをファセット成長させて遮蔽部に続く閉鎖欠陥集合領域H及びファセットピットとその廻りの単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yを有する充分に厚いGaN結晶を製造し、裏面の基板を除き研磨するかあるいはGaN結晶を面と平行に切り出して50μm〜500μmの厚みの自立したGaN骨格基板とし、塩化水素ガスによるドライエッチングをしてGaN骨格基板から閉鎖欠陥集合領域Hを除き、単結晶低転位随伴領域Zと単結晶低転位余領域Yだけを含むGaN骸骨基板とし、GaN骸骨基板の上にGaNを気相成長させて閉鎖欠陥集合領域Hを含まないGaN脱欠陥集合結晶を製造することを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B29/38 ,  H01L21/205
FI (2)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205
F-Term (19)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE07 ,  4G077EE10 ,  4G077TB02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045AF12 ,  5F045CA11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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