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J-GLOBAL ID：200903080479404983

単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板

Inventor： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  松本 直樹
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999273882
Publication number (International publication number)：2001102307
Application date： Sep. 28, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【目的】 106cm-2以下の低転位のGaN単結晶を製造する方法を提供すること。【構成】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、三次元的なファセット構造を持つようにし、ファセット構造を持ったまま、ファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位を低減するようにした単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法。

Claim (excerpt)：

気相成長の成長表面が平面状態でなく、三次元的なファセット構造を持つようにし、ファセット構造を持ったまま、ファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位を低減することを特徴とする単結晶GaNの結晶成長方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (22)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045DB01 ,  5F045GH08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-077245   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-199749
  
• 窒化物化合物半導体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-240343   Applicant：昭和電工株式会社
• 化合物半導体エピタキシャルウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-282524   Applicant：昭和電工株式会社
• 太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-226491   Applicant：日本電信電話株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-338124   Applicant：京セラ株式会社
• 半導体レ-ザおよびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-116805   Applicant：ソニー株式会社
• 結晶基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-178668   Applicant：日本電気株式会社