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J-GLOBAL ID:200903077568792830
半導体装置の製造装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993086621
Publication number (International publication number):1994302548
Application date: Apr. 14, 1993
Publication date: Oct. 28, 1994
Summary:
【要約】【目的】取り扱いに支障のあるガスを用いることなく精度の良いAl合金膜からなる配線を形成できる装置を提供する。【構成】ドライエッチング装置のチャンバ1内にカーボン製の上部電極2を設ける。この結果、Al合金膜のエッチング中に供給されるカーボンがAl合金膜の側壁の保護を行う。
Claim (excerpt):
チャンバと、このチャンバ内に設けられ半導体基板を載置する下部電極と、この下部電極に対向して設けられた上部電極とを有する半導体装置の製造装置において、前記チャンバ内に固体カーボンを設けたこと特徴とする半導体装置の製造装置。
Patent cited by the Patent: