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J-GLOBAL ID：200903077572372411

SiO2系セラミックス膜の形成方法

Inventor： 山田 一博 ,  舟山 徹
Applicant, Patent owner： 東燃株式会社
Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997320114
Publication number (International publication number)：1998212114
Application date： Nov. 20, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ポリシラザン由来のセラミックス膜の特性を改良すること。【解決手段】 ポリシラザンを含む組成物の塗膜を基材表面に形成し、セラミックス化してSiO2 系セラミックス膜を形成する方法において、前記塗膜に赤外線を照射する工程を含むことを特徴とする方法。

Claim (excerpt)：

ポリシラザンを含む組成物の塗膜を基材表面に形成し、セラミックス化してSiO2 系セラミックス膜を形成する方法において、前記塗膜に赤外線を照射する工程を含むことを特徴とする方法。

IPC (7)：

C01B 33/12 ,  B01J 19/12 ,  B05D 3/02 ,  B05D 7/24 302 ,  B32B 27/06 ,  B32B 33/00 ,  C08J 7/04

FI (7)：

C01B 33/12 C ,  B01J 19/12 G ,  B05D 3/02 E ,  B05D 7/24 302 Y ,  B32B 27/06 ,  B32B 33/00 ,  C08J 7/04 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気ヘッドおよび磁気ヘッドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-075700   Applicant：関西日本電気株式会社
• シリカ保護膜の作成方法および磁気記録媒体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-130796   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• SiO2 被覆プラスチックフィルム及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-249374   Applicant：東燃株式会社