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J-GLOBAL ID：200903077578365336
キャパシタ及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996243929
Publication number (International publication number)：1998093045
Application date： Sep. 13, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 リーク電流が小さく、かつ静電容量の大きなキャパシタを得ることを可能にする。【解決手段】 半導体基板2上に、導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極膜12を形成する第1の工程と、前記第1の工程の終了後、直ちにペロブスカイト型酸化物誘電体からなる第1の誘電体層14を形成する第2の工程と、前記第1の誘電体層および前記下部電極膜を加工処理することにより隣接するキャパシタ間を分離する第3の工程と、前記第1の誘電体層を覆うように、ペロブスカイト型酸化物誘電体からなる第2の誘電体層16を形成する第4の工程と、前記第4の工程の終了後、直ちに導電性ペロブスカイト型酸化物からなる上部電極18を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に、導電性ペロブスカイト型酸化物からなる下部電極膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程の終了後、直ちにペロブスカイト型酸化物誘電体からなる第1の誘電体層を形成する第2の工程と、前記第1の誘電体層および前記下部電極膜を加工処理することにより隣接するキャパシタ間を分離する第3の工程と、前記第1の誘電体層を覆うように、ペロブスカイト型酸化物誘電体からなる第2の誘電体層を形成する第4の工程と、前記第4の工程の終了後、直ちに導電性ペロブスカイト型酸化物からなる上部電極を形成する工程と、を備えていることを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (4)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 Z
