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J-GLOBAL ID:200903077578914305
放電プラズマ処理方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997341544
Publication number (International publication number):1998340797
Application date: Dec. 11, 1997
Publication date: Dec. 22, 1998
Summary:
【要約】【課題】 大気圧近傍の圧力下で均一な放電プラズマを発生させて高度に安定した表面処理を行う。また、導電性の基材、低融点の基材、表面に凹凸を有する基材にも適用し得るレベルのストリ-マ発生が抑制された表面処理方法を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下のガス雰囲気中で、対向電極間に電界を印加することによって発生する放電プラズマにより基材の表面処理を行う方法であって、上記電界は、パルス継続時間が1μs〜1000μsであり、かつその周波数が1kHz〜100kHzである基本パルス電界に、周波数が50Hz〜500Hzであり、かつデューティ比が20%〜70%である変調用パルス電界を印加することによって形成される変調パルス電界であることを特徴とする。
Claim (excerpt):
大気圧近傍の圧力下のガス雰囲気中で、対向電極間に電界を印加することによって発生する放電プラズマにより基材の表面処理を行う方法であって、上記電界は、パルス継続時間が1μs〜1000μsであり、かつその周波数が1kHz〜100kHzである基本パルス電界に、周波数が50Hz〜500Hzであり、かつデューティ比が20%〜70%である変調用パルス電界を印加することによって形成される変調パルス電界であることを特徴とする放電プラズマ処理方法。
IPC (6):
H05H 1/46
, C08J 7/00 306
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
, D06M 10/02
FI (6):
H05H 1/46 M
, C08J 7/00 306
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
, D06M 10/02
, H01L 21/302 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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プラズマ表面処理装置及びプラズマ表面処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-133591
Applicant:積水化学工業株式会社
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特開平3-236475
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特開平2-164441
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プラズマCVD法による成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-180947
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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フッ素樹脂フィルムの表面改質法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-010912
Applicant:日本ペイント株式会社
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コロナ放電処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-150904
Applicant:日本ペイント株式会社, マツダ株式会社
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