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J-GLOBAL ID：200903077713624100

プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置

Inventor：
中東 孝浩

About 中東 孝浩

, 
桑原 創

About 桑原 創


Applicant, Patent owner：
日新電機株式会社

About 日新電機株式会社


Agent (1)： 谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995065812
Publication number (International publication number)：1996264519
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】低真空度下又は常圧下で被処理物にプラズマを発生させることができ、しかも酸素元素やハロゲン元素等を有する活性ガスを含むプラズマ原料ガスを用いてもプラズマソースの消耗が少なく、長期に亘り安定して使用できるプラズマ発生装置と、このプラズマ発生装置を備えていることにより、室内各部並びに被処理物の汚染が抑制されるプラズマ処理装置を提供する。【構成】プラズマ生成室1及びこれに連設したプラズマ処理室2のうち室1にプラズマ原料ガスを導入するとともに室2にプラズマ処理用ガスを導入し、室1において炭素含有物質からなるプラズマソース23へマイクロ波を照射することにより原料ガスをプラズマし、発生したイオンを室2へ加速導入して処理用ガスをプラズマ化し、このプラズマのもとで被処理物S1に所定の処理を施す。
Claim (excerpt)：
プラズマ生成室と、該プラズマ生成室にプラズマ原料ガスを供給する手段と、前記プラズマ生成室に設置した炭素含有物質からなるプラズマソースと、該プラズマソースにマイクロ波を照射する手段とを備えたことを特徴とするプラズマ発生装置。
IPC (6)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (6)：
H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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