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J-GLOBAL ID：200903077767876627

半導体装置及びその形成方法

Inventor：
五十嵐 信行

About 五十嵐 信行


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998250339
Publication number (International publication number)：2000068465
Application date： Aug. 21, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】 鉛元素を必須成分とする誘電体膜を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特に還元雰囲気で処理された場合においても、その誘電体膜の劣化が生じない半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に、下部電極層4と鉛を必須成分とする誘電体膜6と上部電極層7とを有し、両電極層と誘電体膜6の層間に鉛拡散バリア層5が形成されている半導体装置。
Claim (excerpt)：
基板上に、基板に近い方から、下部電極層と、この下部電極層上に誘電体膜と、この誘電体膜を介して下部電極層と対極して形成されている上部電極層とを有する半導体装置であって、前記誘電体膜が、鉛を必須成分とする誘電体膜であり、かつ該誘電体膜と前記下部電極層の層間と、該強誘電体膜と前記上部電極層との層間の両方とに鉛拡散バリア層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C
F-Term (10)：
5F038AC11 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038BH03 ,  5F038DF05 ,  5F083FR00 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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