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J-GLOBAL ID：200903077817028100

記憶素子

Inventor： 川本 徹 ,  栗原 正人 ,  山田 真実
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004286844
Publication number (International publication number)：2006098920
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】金属錯体微粒子を用いた光記憶素子の性能を改善する。【解決手段】界面活性剤及び付加分子で表面が修飾された金属錯体微粒子からなる外部刺激応答素子を用いた記憶素子。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

界面活性剤 及び/または 付加分子で表面が修飾された金属錯体微粒子からなる外部刺激応答素子を用いた記憶素子。

IPC (3)：

G03C 1/725 ,  G11B 7/244 ,  B41M 5/26

FI (4)：

G03C1/725 ,  G11B7/24 516 ,  B41M5/26 X ,  B41M5/26 Y

F-Term (13)：

2H111EA03 ,  2H111EA04 ,  2H111EA12 ,  2H111EA22 ,  2H111EA23 ,  2H111EA25 ,  2H111EA31 ,  2H111FB01 ,  2H111FB41 ,  2H111GA00 ,  2H123AE00 ,  2H123AE11 ,  5D029JA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-282327   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 川本徹, 阿部修治

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Synthesis and Isolation of Cobalt Hexacyanoferrate/Chromate Metal Coordination Nanopolymers Stabili