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J-GLOBAL ID：200903077932760353
高電子移動度トランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228409
Publication number (International publication number)：1995086573
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】逆HEMT構造において高い電子移動度を有する高電子移動度トランジスタを得る。【構成】化合物半導体基板7上に積層した半導体層における半導体チャネル層3中に、有効質量が小さい半導体薄膜層8を設ける。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板上に、半導体バッファ層を介して、半導体キャリア供給層と半導体スペーサ層と半導体チャネル層と半導体ゲートコンタクト層とを、順次積層した高電子移動度トランジスタにおいて、上記半導体チャネル層中に有効質量が小さい半導体薄膜層を設けたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
Cited by examiner (6)
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