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J-GLOBAL ID:200903077994415580
位相差測定方法および装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994244204
Publication number (International publication number):1996110266
Application date: Oct. 07, 1994
Publication date: Apr. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 高精度な位相差測定装置を得る。【構成】 光源1を偏光子2に通し、電界がX軸方向に振動する偏光成分のみ取り出し、ハーフミラー3で分岐することによって、一方を測定試料4に、他方を全反射鏡7を介してKDP結晶6に入射させ、これにC軸方向(Z軸)に0〜20kvの電界を電圧可変電源10より印加する。KDP結晶6の透過光と全反射鏡5を介した測定試料4の透過光は、それぞれハーフミラー8で合流させ、干渉光の強度を光検出器9で測定する。測定試料4の基板部分を光路に挿入し干渉光強度を測定した後、シフタ部を挿入し光検出器9で測定される光強度が基板挿入時と等しくなるまで、電圧可変電源10によりKDP6の印加電界を変える。この時の印加電界の変化分からKDP結晶6の屈折率変化を求め、これにKDP結晶6の光路となる部分の長さを掛け合わせ、基板部とシフタ部の位相差に相当する光路長差が得られる。
Claim (excerpt):
マッハツエンダ型干渉計における2つに分岐された光路のうち一方を光路長可変光路とし、この光路、または他方の光路に位相差を測定しようとする2つの試料を順次挿入して合流後の干渉強度を逐次測定し、それぞれの干渉強度を等しくする光路長変化分を測定することから前記位相差を求める位相差測定方法において、電気光学効果を有する結晶を前記光路長可変光路に挿入し、前記結晶に連続的に変化する電界を印加することによって光路長を変化させることを特徴とする位相差測定方法。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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フォトマスク検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-034107
Applicant:株式会社ニコン
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特開昭61-189502
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