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J-GLOBAL ID：200903078055042351

半導体装置の製造方法

Inventor： 土居 司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104098
Publication number (International publication number)：1994314654
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 下地の如何にかかわらず成長速度が等しく、優れた埋め込み平坦性を示し、しかも、良好な膜質のシリコン酸化膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 組成にSi-N結合を持つ有機ソース16とO3とを基板1に導き、有機ソース16とO3とを常圧下で化学反応させて、基板1にシリコン酸化膜を成長させる。有機ソース16は、例えばヘキサメチルジシラザン((CH3)3Si-N(H)-Si(CH3)3)である。

Claim (excerpt)：

有機ソースとO3とを基板に導き、上記有機ソースとO3とを常圧下で化学反応させて、上記基板にシリコン酸化膜を成長させる半導体装置の製造方法において、上記有機ソースは、組成にSi-N結合を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-259074
  
• 特開平4-346035
  
• 気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-075009   Applicant：日本電気株式会社