半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003077648
Publication number (International publication number)：2004288798
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】Niシリサイドプロセスで問題となるn+型拡散領域におけるシリサイド膜の荒れやシリサイド膜の剥がれ、さらにはシリサイド膜上に形成されるコンタクトライナー膜の剥がれを防ぐ。【解決手段】p型ウェル領域13と、その表面領域に形成されたn+型拡散領域14と、p型ウェル領域13上にゲート絶縁膜17を介して形成されたシリコンを含むゲート電極18と、n+型拡散領域14の表面領域に形成されたNiSi膜16と備え、NiSi膜16の表面から深さ方向にp型不純物が導入されており、このp型不純物は、NiSi膜16内の所定の深さ位置で1E20(cm-3)以上のピーク濃度を持ち、かつNiSi膜16とn+型拡散領域14との界面及びこれよりも深い位置における濃度が5E19(cm-3)以下となるような不純物プロファィルを有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

p型のシリコン半導体領域と、上記シリコン半導体領域の表面領域に形成されたn型拡散領域と、上記n型拡散領域の表面領域に形成されたNiシリサイド膜とを具備し、上記Niシリサイド膜の表面から深さ方向にp型不純物が導入されており、このp型不純物は、上記Niシリサイド膜内の所定の深さ位置で1E20(cm-3)以上のピーク濃度を持ち、かつ上記Niシリサイド膜とn型拡散領域との界面及びこれよりも深い位置における濃度が5E19(cm-3)以下となるような不純物プロファィルを有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/78

FI (5)：

H01L21/28 301S , H01L29/50 M , H01L29/78 301P , H01L27/08 321F , H01L29/78 301S

F-Term (101)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB21 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104DD02 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD26 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104EE05 , 4M104EE09 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104FF22 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH08 , 4M104HH09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD04 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA10 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BB16 , 5F140BC07 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BG09 , 5F140BG10 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BH13 , 5F140BH15 , 5F140BH42 , 5F140BH49 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ21 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK24 , 5F140BK26 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC15 , 5F140CE07 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-392639 Applicant：三菱電機株式会社

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