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J-GLOBAL ID:200903078213296978

アジア酸誘導体、その製造方法およびこれを含有する皮膚治療剤

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 俊一郎
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1996517502
Publication number (International publication number):1998509959
Application date: Nov. 30, 1995
Publication date: Sep. 29, 1998
Summary:
【要約】本発明の目的は、下記一般式[I]で表示されるアジア酸誘導体および薬学的で許容されるその塩またはエステルを提供することである。センテラ アジアチカ(Centella asiatica)から抽出されるアジア酸、その三糖類アジアチコシドおよびマデカス酸は久しい以前から皮膚はん痕および慢性腫瘍の処置に使用されている。本発明において、アジア酸から合成されるアジア酸誘導体が優れた傷治癒特性を示す。
Claim (excerpt):
1 下記一般式[I]で表示されるアジア酸誘導体および薬学的に許容されるその塩およびエステル: 式中; R1は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、ビニル、エチニル、シアノ、アジド、メタンスルホニルオキシ、フエニルチオ基または(メチルチオ)チオカルボニルオキシを示し; R2は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メトキシまたはエトキシ基を示し; R1およびR2は共にオキソ基を形成でき; R3は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、ビニル、メチルまたはエチル基を示し; R4は水素、メチル、エチル、ビニル、またはアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基を示し; R2およびR4は共にエポキシ基を形成でき; R3およびR4は共にオキソ基を形成でき; R5はメチル基、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシメチル基、tert-ブチルジメチルシリルオキシメチル基、カルボキシル基、カルボキシルエステル残基、カルボキシルアミド残基またはアルデヒド基を示し; R4およびR5は共に-OC(CH3)2OCH2-を形成でき; R6は水素またはメチル基を示し; R7は-CH2COORまたは-COOR[ここで、Rは水素、メチル、CH(OR9)R8またはCH(OR11)CH2R10(ここで、R8は水素、メチルまたはエチル基であり、R9はメチル、エチル、オクチル、ベンジル、メトキシメチルまたはメトキシエチル基であり; R10は水素、メチルまたはエチル基であり、R11はメチルまたはエチル基を示し; R10とR11は連合して-CH2CH2CH2-を形成できる)、またはヒドロキシ基がアセチルまたはベンジルで保護されてもよいグルコシルまたはラムノシル基である]、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジルで保護されてもよいヒドロキシメチル、メタンスルホニルオキシメチルまたはシアノメチル基を示し; R12およびR13はそれぞれ水素を示すか、共にオキソ基を示す。[但し、R1がヒドロキシ、R2が水素、R3が水素、R4がヒドロキシ、R5がヒドロキシメチル、かつR6がメチルの場合に、Rは水素またはメチルでなく、R8は水素でなく;R1がヒドロキシ、R2が水素、R3およびR4がR5と共に-OC(CH3)2OCH2-を形成し、かつR6がメチルの場合に、Rはメチルでない]。2 下記一般式[II]で表示されるアジア酸誘導体を、ヒドロキシ基がアセチル基またはベンジル基で保護されてもよいハロゲン化グルコピラノシルまたはハロゲン化ラムノピラノシルと反応させることにより、R7が-COOR[Rはヒドロキシ基がアセチルまたはベンジルで保護されてもよいグルコシルまたはラムノシル基である]の下記一般式[I]の化合物を製造する方法: 式中; R1は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、ビニル、エチニル、シアノ、アジド、メタンスルホニルオキシ、フェニルチオ基または(メチルチオ)チオカルボニルオキシ基を示し; R2は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メトキシまたはエトキシ基を示し; R1およびR2は共にオキソ基を形成でき; R3は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、ビニル、メチルまたはエチル基を示し; R4は水素、メチル、エチル、ビニル、またはアセチルまたたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基を示し; R2およびR4は共にエポキシ基を形成でき; R3およびR4は共にオキソ基を形成でき; R5はメチル基、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシメチル基またはtert-ブチルジメチルシリルオキシメチル基、カルボキシル基、カルボキシルエステル残基、カルボキシルアミド残基またはアルデヒド基を示し; R4およびR5は共に-OC(CH3)2OCH2-を形成でき; R6は水素またはメチル基を示し; R12およびR13はそれぞれ水素であるか、共にオキソ基を示し;Mは水素またはアルカリ金属を示す; 式中; R1乃至R6、R12およびR13は前記定義の通りであり;R7は-COOR[ここで、Rはヒドロキシ基がアセチルまたはベンジルで保護されてもよいグルコシルまたはラムノシル基である]を示す。3 下記一般式[III]の化合物を塩基の存在下に下記一般式[IV]の化合物と反応させることにより、下記一般式[V]の化合物を製造する方法: 式中; R1は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、ビニル、エチニル、シアノ、アジド、メタンスルホニルオキシ、フェニルチオ基または(メチルチオ)チオカルボニルオキシ基を示し; R2は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メトキシまたはエトキシ基を示し; R1およびR2は共にオキソ基を形成でき; R3は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、ビニル、メチルまたはエチル基を示し; R4は水素、メチル、エチル、ビニル、またはアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基を示し; R2およびR4は共にエポキシ基を形成でき; R3およびR4は共にオキソ基を形成でき; R5はメチル基、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシメチル基またはtert-ブチルジメチルシリルオキシメチル基、カルボキシル基、カルボキシルエステル残基、カルボキシルアミド残基またはアルデヒド基を示し; R4およびR5は共に-OC(CH3)2OCH2-を形成でき; R6は水素またはメチル基を示す; 式中; R8は水素、メチルまたはエチル基であり、R9はメチル、エチル、オクチル、ベンジル、メトキシメチルまたはメトキシエチル基であり、Xはハロゲン、メシルオキシ基またはトシルオキシ基である; 式中; R1乃至R6、R8およびR9は前記定義した通りである。4 下記一般式[III]の化合物を酸触媒の存在下に下記一般式[VI]の化合物と反応させることにより、下記一般式[VII]の化合物を製造する方法。 式中; R1は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、ビニル、エチニル、シアノ、アジド、メタンスルホニルオキシ、フェニルチオ基または(メチルチオ)チオカルボニルオキシ基を示し; R2は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メトキシまたはエトキシ基を示し; R1およびR2は共にオキソ基を形成でき; R3は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、ビニル、メチルまたはエチル基を示し; R4は水素、メチル、エチル、ビニル、またはアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基を示し; R2およびR4は共にエポキシ基を形成でき; R3およびR4は共にオキソ基を形成でき; R5はメチル基、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシメチル基、tert-ブチルジメチルシリルオキシメチル基、カルボキシル基、カルボキシルエステル残基、カルボキシルアミド残基またはアルデヒド基を示し;R4およびR5は共に-OC(CH3)2OCH2-を形成でき; R6は水素またはメチル基を示す; 式中; R10は水素、メチルまたはエチル基であり、R11はメチルまたはエチル基を示し、R10とR11は連合して-CH2CH2CH2-を形成できる; 式中; R1乃至R5、R10およびR11は前記定義した通りである。5 下記一般式[I]で表示されるアジア酸誘導体または薬学的に許容されるその塩またはエステルを含有する皮膚治療剤: 式中; R1は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、ビニル、エチニル、シアノ、アジド、メタンスルホニルオキシ、フェニルチオ基または(メチルチオ)チオカルボニルオキシ基を示し; R2は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、メトキシまたはエトキシ基を示し; R1およびR2は共にオキソ基を形成でき; R3は水素、アセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基、ビニル、メチルまたはエチル基を示し; R4は水素、メチル、エチル、ビニル、またはアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシ基を示し; R2およびR4は共にエポキシ基を形成でき; R3およびR4は共にオキソ基を形成でき; R5はメチル基、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジル基で保護されてもよいヒドロキシメチル基、tert-ブチルジメチルシリルオキシメチル基、カルボキシル基、カルボキシルエステル残基、カルボキシルアミド残基またはアルデヒド基を示し; R4およびR5は共に-OC(CH3)2OCH2-を形成でき; R6は水素またはメチル基を示し; R7は-CH2COORまたは-COOR[ここで、Rは水素、メチル、CH(OR9)R8またはCH(OR11)CH2R10(ここで、R8は水素、メチルまたはエチル基であり、R9はメチル、エチル、オクチル、ベンジル、メトキシメチルまたはメトキシエチル基であり、R10は水素、メチルまたはエチル基であり、R11はメチルまたはエチル基を示し、R10とR11は連合して-CH2CH2CH2-を形成できる)、またはヒドロキシ基がアセチルまたはベンジルで保護されてもよいグルコシルまたはラムノシル基である]、ヒドロキシ基がアセチルまたはベンジルで保護されてもよいヒドロキシメチル、メタンスルホニルオキシメチルまたはシアノメチル基を示し; R12およびR13はそれぞれ水素であるか、共にオキソ基を示し、[但し、R1がヒドロキシ、R2が水素、R3が水素、R4がヒドロキシ、R5がヒドロキシメチル、かつR6がメチルの場合にRは水素またはメチルでなく、R8は水素でなく;R1がヒドロキシ、R2が水素、R3およびR4がR5と共に-OC(CH3)2OCH2-を形成し、かつR6がメチルの場合に、Rはメチルでない]。
IPC (11):
C07C 61/29 ,  A61K 31/045 ,  A61K 31/19 ,  A61K 31/215 ,  A61K 31/335 ADA ,  A61K 31/695 ,  A61K 35/78 ,  C07C 62/30 ,  C07C 69/753 ,  C07D303/38 ,  C07D309/12
FI (11):
C07C 61/29 ,  A61K 31/045 ,  A61K 31/19 ,  A61K 31/215 ,  A61K 31/335 ADA ,  A61K 31/695 ,  A61K 35/78 N ,  C07C 62/30 ,  C07C 69/753 Z ,  C07D303/38 ,  C07D309/12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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