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J-GLOBAL ID：200903078255061571

半導体発光装置及びその製法

Inventor：
佐野 武志

About 佐野 武志


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (1)： 清水 敬一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999105860
Publication number (International publication number)：2000299503
Application date： Apr. 13, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光装置の耐環境性及び耐紫外線性を改善する。【解決手段】 半導体発光素子(2)は、金属アルコキシド又はセラミック前駆体ポリマーを固化したガラス材料であり、半導体発光素子(2)から照射される紫外光又は近紫外光等に対して光透過性を有する第二の被覆体(10)によって直接被覆され、第二の被覆体(10)は第一の被覆体(8)により被覆される。耐紫外線性を有するガラス材料により構成される第二の被覆体(10)により第一の被覆体(8)の黄変・着色を防止する。
Claim (excerpt)：
第一の外部端子及び第二の外部端子と、該第一の外部端子及び第二の外部端子に電気的に接続された電極を備えた半導体発光素子と、該半導体発光素子及び前記第一の外部端子及び第二の外部端子の前記半導体発光素子側の端部を被覆する第一の被覆体とを備えた半導体発光装置において、前記半導体発光素子は、金属アルコキシド、セラミック前駆体ポリマー若しくは金属アルコキシドを含有する溶液をゾル-ゲル法により加水分解重合して成る溶液又はこれらの組み合わせを固化したガラス材料である第二の被覆体によって直接被覆され、前記第二の被覆体は、前記半導体発光素子から照射される光に対して光透過性を有し、前記第二の被覆体は前記第一の被覆体により被覆されたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/022
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01S 3/18 612
F-Term (23)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041AA34 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA26 ,  5F041DA44 ,  5F041DA47 ,  5F041DA58 ,  5F073AB16 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA07 ,  5F073EA28 ,  5F073FA21 ,  5F073FA27 ,  5F073FA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
  • 化合物半導体封止用樹脂並びに半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104799   Applicant：シャープ株式会社
  • 特開平1-115129
  • 特開昭54-096368
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Cited by examiner (3)

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