Pat

J-GLOBAL ID：200903078350780208

シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する方法

Inventor： フレデリック・ティ・ブラディ ,  ナディム・エフ・ハダッド
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994057624
Publication number (International publication number)：1995014800
Application date： Mar. 28, 1994
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハのシリコン基板の表側表面にコンタクトを形成する。【構成】 素子処理ステップの前に、トレンチがSOI層22、24、28を通して基板20までエッチングされる。このトレンチは素子処理の間に維持され、基盤20と同じドーパント型のソース/ドレイン注入時に開かれる。メタライゼーション30により基板とのオーミック・コンタクトが形成される。

Claim (excerpt)：

あるドーパント型を有するシリコン・オン・インシュレータ基板の表側表面にコンタクトを形成する方法であって、通常の半導体素子処理の前に上記シリコン・オン・インシュレータ基板の表面にトレンチ領域を画成するステップと、シリコン・オン・インシュレータ層を上記基板までエッチングするステップと、トレンチを画成する物質を取り除いて通常の素子処理を継続するステップと、上記基板と同じ型のドーパント種のイオン注入時に上記トレンチ領域を開けるステップと、上記基板と異なる型のドーパント種のイオン注入時に上記トレンチ領域を覆うステップと、通常の素子処理で上記トレンチ領域の部分に金属を被着して、上記シリコン・オン・インシュレータ基板の表側表面にオーミック・コンタクトを形成するステップと、を含む方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 多層配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-156392   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-074417