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J-GLOBAL ID：200903078388798887
ホウ素含有窒化アルミニウム薄膜および製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上代 哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995041687
Publication number (International publication number)：1996239752
Application date： Mar. 01, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 窒化アルミニウムよりも高い硬度、広いバンドギャップ、大きな音速、を有し価電子制御が容易で、結晶性のよいホウ素含有窒化アルミニウム薄膜を提供する。【効果】 窒化アルミニウムよりも高い硬度、広いバンドギャップ、大きな音速を有し価電子制御が容易で、結晶性のよいホウ素含有窒化アルミニウム薄膜を容易に得ることができる。
Claim (excerpt)：
単結晶基板(1)上に中間層として窒化アルミニウム単結晶薄膜(2)が形成され、前記窒化アルミニウム単結晶薄膜上にホウ素含有窒化アルミニウム単結晶薄膜(3)が形成された構造をもつことを特徴とするホウ素含有窒化アルミニウム単結晶薄膜。
IPC (7)：
C23C 14/06
, B23P 15/28
, C23C 16/34
, C30B 29/38
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, B23B 27/14
C23C 14/06 A
, C23C 14/06 P
, B23P 15/28 A
, C23C 16/34
, C30B 29/38 C
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/205
, B23B 27/14 A
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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