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J-GLOBAL ID：200903078452285988

窒化物系化合物半導体の成長方法

Inventor： 河合 弘治 ,  朝妻 庸紀 ,  中村 文彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996177042
Publication number (International publication number)：1998004211
Application date： Jun. 17, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 成長後に不純物を活性化させるための熱処理を行わないでも、高キャリア濃度のp型窒化物系化合物半導体を得ることができる窒化物系化合物半導体の成長方法を提供する。【解決手段】 有機金属化学気相成長法によりp型GaNなどのp型窒化物系化合物半導体を成長させる場合に、窒素原料として窒素放出過程において水素を放出しない窒素原料を用い、また、不活性ガス中において成長を行う。窒素原料としては、窒素と結合しているヒドロ基とアルキル基および/またはフェニル基とを含み、かつ、ヒドロ基の数はアルキル基の数とフェニル基の数との和以下である窒素化合物を用いる。

Claim (excerpt)：

窒素放出過程において水素を放出しない窒素原料を用いて窒化物系化合物半導体を気相成長させるようにしたことを特徴とする窒化物系化合物半導体の成長方法。

IPC (6)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02

FI (6)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-080198
  
• 窒化ガリウム系薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-265835   Applicant：旭化成工業株式会社