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J-GLOBAL ID：200903078504812159

半導体装置の製造方法

Inventor： 辰巳 徹 ,  酒井 朗 ,  五十嵐 信行
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997070933
Publication number (International publication number)：1998256169
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 膜中に貫通転位が無く、表面が平坦な、完全に格子緩和したゲルマニウム膜もしくはシリコンゲルマニウム混晶膜をシリコン基板上に成長させる方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板上にゲルマニウム膜を層状にエピタキシャル成長させる工程と、該ゲルマニウム膜の上部にシリコン若しくはシリコンゲルマニウム混晶からなる被覆層を形成する工程と、熱処理工程を有する半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にゲルマニウム膜を層状にエピタキシャル成長させる工程と、該ゲルマニウム膜の上部にシリコン若しくはシリコンゲルマニウム混晶からなる被覆層を形成する工程と、熱処理工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/02

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 X ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 31/02 A