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J-GLOBAL ID：200903078570690374

はんだバンプの高さ測定方法

Inventor： 橋本 豊 ,  佐々木 秀昭 ,  和井 伸一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996323797
Publication number (International publication number)：1998160419
Application date： Dec. 04, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】CCB接合においては、LSI上に多数格子状に形成された微細な球面状のはんだバンプを電極として接合するため、接続の信頼性を確保するには、接続前にバンプ高さを全数検査することが必要不可欠であり、このためには、高速高精度にバンプ頂点高さを計測する必要がある。【解決手段】本発明によれば、バンプ頂点高さ判定に、頂点付近の標準波形との比較手段をもちいるため、バンプ表面の凹凸等の影響を受けない判定が可能となる。更に標準波形は、絶対的な基準を持つ必要がなく、測定対象自身からリアルタイムに作成するため、対象ワークの品種の変更等に柔軟に対応可能である。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載する基板上に形成されるはんだバンプの高さ測定方法において、レーザ光による三角測量法を利用する光マイクロヘッドを、バンプ列ごとに被測定物上を相対的に走査する工程と、該走査時に光マイクロヘッドから得られる高さデータ及び反射光量データをバンプ列ごとに記憶する工程と、記憶された該データから各バンプの頂点高さの判定演算処理を行う工程と、を備えることを特徴とするはんだバンプの高さ測定方法。

IPC (3)：

G01B 11/02 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/321

FI (3)：

G01B 11/02 Z ,  H01L 21/60 321 Y ,  H01L 21/92 604 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 立体電極外観検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-037015   Applicant：富士通株式会社