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J-GLOBAL ID:200903078613096285
低熱膨張セラミックスおよびその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997262398
Publication number (International publication number):1999100275
Application date: Sep. 26, 1997
Publication date: Apr. 13, 1999
Summary:
【要約】【課題】低熱膨張を有するとともに高剛性を有する低熱膨張セラミックスとその製造方法を提供する。【解決手段】コージェライトを10〜50重量%、希土類元素酸化物を0.5〜10重量%の割合で含み、残部がα型含有率が80%以上の窒化珪素からなる成形体を、不活性ガス雰囲気中で1300〜1700°Cの温度で焼成することによって、窒化珪素の80%以上がα型窒化珪素からなり、相対密度95%以上、室温でのヤング率が200GPa以上、10〜40°Cの熱膨張率が1×10-6以下の低熱膨張、高ヤング率のセラミックスを得る。また、この低熱膨張セラミックスを露光装置用ステージなどの半導体製造用部品に応用することにより、高微細回路形成の精度を高め品質、量産性を高める。
Claim (excerpt):
コージェライトを10〜50重量%、希土類元素酸化物を0.5〜10重量%の割合で含み、残部がα型含有率が80%以上の窒化珪素からなり、且つ相対密度が95%以上であることを特徴とする低熱膨張セラミックス。
IPC (2):
C04B 35/584
, C04B 35/195
FI (2):
C04B 35/58 102 D
, C04B 35/16 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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特開昭59-174572
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特表昭60-502053
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特開平2-116679
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特開平2-221160
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窒化珪素質焼結体およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-327278
Applicant:京セラ株式会社
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窒化ケイ素焼結体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-103662
Applicant:住友電気工業株式会社
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特表昭60-502053
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特開平2-116679
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特開昭59-174572
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特開平2-221160
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特開昭59-174572
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特開平2-221160
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特開昭58-032063
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