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J-GLOBAL ID：200903078627050806

半導体ナノ粒子の製造方法及び半導体材料の表面を半導体元素で被覆する方法、並びにそれらにより製造された半導体ナノ粒子、表面が被覆された半導体材料、及び発光素子

Inventor：
山 本 和 重

About 山 本 和 重


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (4)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005188552
Publication number (International publication number)：2007012702
Application date： Jun. 28, 2005
Publication date： Jan. 18, 2007
Summary：
【課題】 新規な液相合成ナノ粒子の製造方法および半導体表面の被覆方法と、それにより得られた発光可能な半導体ナノ粒子または半導体被覆を用いた発光素子の提供。【解決手段】 不活性有機溶媒中において、半導体元素を含んでなる分子と還元剤とを化学反応させて半導体ナノ粒子または半導体被覆を形成させるに際し、前記半導体分子と前記還元剤とを、前記半導体分子に含まれる半導体元素のモル数Aに対する前記還元剤の当量数Bの比B/Aが、3以上4以下となるようにして、0°C以下の反応温度で反応させる。還元剤には不活性有機溶媒に可溶なものを用い、均一反応が起きる条件で、所望のナノ粒子を得ることができる。また、半導体材料を不活性有機溶媒中に浸漬し、前記の比B/Aを1以上4以下とすることで、半導体材料の表面に半導体元素を含む被覆層を形成させることができる。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
不活性有機溶媒中において、シリコン、ゲルマニウム、炭素、および錫からなる群から選ばれる半導体元素を含む分子と、前記不活性有機溶媒に可溶な還元剤とを、前記半導体元素を含む分子中の半導体元素のモル数と前記還元剤の当量数とをそれぞれAおよびBとしたときの比B/Aが3以上4以下となるようにして、0°C以下の反応温度で反応させて、前記半導体元素を含む分子に由来する半導体元素を含む半導体ナノ粒子を成長させることを特徴とする、半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/208 ,  B82B 3/00 ,  H01S 5/30
FI (3)：
H01L21/208 Z ,  B82B3/00 ,  H01S5/30
F-Term (11)：
5F053DD01 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053FF10 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL01 ,  5F173AF12 ,  5F173AF15 ,  5F173AH40 ,  5F173AP30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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