窒化アルミニウム基板、薄膜付き窒化アルミニウム基板およびこれからなるレーザー発光素子用サブマウント材

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉武賢次 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001394867
Publication number (International publication number)：2003192442
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】結晶粒子脱落が防止されたバイアホールを有する窒化アルミニウム基板および接続信頼性が高い薄膜付きの前記気窒化アルミニウム基板の提供。【解決手段】バイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離50μmの直線上に15〜30個存在することを特徴とする窒化アルミニウム基板、前記の窒化アルミニウム基板の片面あるいは両面に導電性薄膜が形成されてなることを特徴とする、薄膜付き窒化アルミニウム基板、および。前記の薄膜付き窒化アルミニウム基板からなることを特徴とするレーザー発光素子用サブマウント材。

Claim (excerpt)：

バイアホールを有する窒化アルミニウム基板であって、このバイアホールにはタングステンまたはモリブデンを主成分とする導電部を具備すると共に、窒化アルミニウム結晶粒子が前記基板における直線距離50μmの直線上に15〜30個存在することを特徴とする、窒化アルミニウム基板。

IPC (4)：

C04B 35/581 , C04B 41/88 , H01L 23/12 , H01S 5/022

FI (4)：

C04B 41/88 C , H01S 5/022 , C04B 35/58 104 Y , H01L 23/12 J

F-Term (19)：

4G001BA09 , 4G001BA36 , 4G001BA61 , 4G001BB09 , 4G001BB36 , 4G001BB61 , 4G001BC13 , 4G001BC22 , 4G001BC33 , 4G001BC72 , 4G001BC73 , 4G001BD03 , 4G001BD38 , 4G001BE31 , 4G001BE32 , 4G001BE35 , 5F073BA05 , 5F073EA29 , 5F073FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

AlN基板およびそれを用いたレーザーダイオード素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-166770 Applicant：株式会社東芝
メタライズ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-290748 Applicant：株式会社トクヤマ

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