研磨パッド

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999162375
Publication number (International publication number)：2000343413
Application date： Jun. 09, 1999
Publication date： Dec. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】研磨層(研磨部分)の硬度が高く、ウェハー面への研磨パッドの追随性に優れているので、平坦性に優れ、ウェハー面内均一性に優れた半導体基板の研磨が可能な研磨パッドを提供する。【解決手段】多数の互いが物理的に隔離されている島状研磨部分のマイクロゴムA硬度が70度以上でそれらすべてと隣接するクッション層のマイクロゴムA硬度より10度以上高く、かつ互いが物理的に隔離されている島状研磨部分はクッション層で構成される実質的同一の高分子を少なくとも30重量%以上と他の高分子を含有することを特徴とする研磨パッド。

Claim (excerpt)：

隣接する2つの層を少なくとも有する研磨パッドであって、研磨面である第一層のマイクロゴムA硬度が70度以上であり、第二層のマイクロゴムA硬度より10度以上高く、かつ第一層は第二層を構成するものと実質的同一の高分子と他の高分子とを含有することを特徴とする研磨パッド。

IPC (9)：

B24B 37/00 , B32B 5/18 101 , B32B 25/04 , B32B 25/14 , B32B 27/40 , C08F 2/00 , C08J 9/36 CFF , H01L 21/304 622 , C08L 75:04

FI (8)：

B24B 37/00 C , B32B 5/18 101 , B32B 25/04 , B32B 25/14 , B32B 27/40 , C08F 2/00 C , C08J 9/36 CFF , H01L 21/304 622 F

F-Term (49)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB10 , 3C058DA17 , 4F074AA78 , 4F074CA21 , 4F074CE02 , 4F074CE14 , 4F074CE56 , 4F074CE98 , 4F074DA02 , 4F074DA03 , 4F074DA12 , 4F074DA16 , 4F074DA20 , 4F074DA56 , 4F100AK01A , 4F100AK01B , 4F100AK02A , 4F100AK51B , 4F100AN00A , 4F100AN00B , 4F100AN02A , 4F100AN02B , 4F100AR00C , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA26 , 4F100DJ02A , 4F100DJ02B , 4F100GB41 , 4F100GB90 , 4F100JK06 , 4F100JK12A , 4F100JK12B , 4F100JL11C , 4F100YY00 , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4J011CA01 , 4J011CA08 , 4J011CB00 , 4J011CC01 , 4J011CC04 , 4J011CC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の研磨装置及び研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-292420 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-088229
特開平2-220838

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