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J-GLOBAL ID：200903078690038719

基板の処理方法

Inventor： 池田 典弘 ,  井上 恭典
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994212570
Publication number (International publication number)：1996078352
Application date： Sep. 06, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 Si基板表面に形成されるダメージ層のダメージの度合いが軽減されるような半導体基板の処理方法を提供するものである。【構成】 シリコン基板12上に形成されたSiO214をRIE法等によりエッチングすると、基板12の表面にSiC化ダメージ層16と水素侵入ダメージ層17が形成され、この部分の特性(例えばコンタクト抵抗)が悪化するが、エッチング後に、RTA法による急速加熱することにより、水素侵入ダメージ層17の部分の水素が外方拡散するとともにこの部分の結晶性の乱れが改善されて、少なくともこの水素侵入ダメージ層17のダメージ度合いが回復する。そして、このRTAの前に、O2RIE処理を行うことで、水素侵入ダメージ層17の回復に加えて、SiC化ダメージ層16をも回復させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上の膜をドライエッチングした後に、熱処理することを特徴とした基板の処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/265 L ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264020   Applicant：シヤープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317837   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭56-051580
  
• 特開昭64-081229
  

Cited by examiner (4)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-264020   Applicant：シヤープ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-317837   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭56-051580
  
• 特開昭64-081229