炭化珪素単結晶の製造方法及び単結晶製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000079347
Publication number (International publication number)：2000336000
Application date： Mar. 16, 2000
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：

【要約】【課題】最終的にウェハとして使用したい形状で炭化珪素単結晶を形成できるようにする。【解決手段】炭化珪素単結晶基板3の近傍において、該炭化珪素単結晶基板3の外周を囲むようにガイド7を配置し、炭化珪素単結晶10を結晶成長させる際にガイド7が炭化珪素の昇華温度よりも高温となるようにすることによって、炭化珪素単結晶10のガイド方向への成長を制御する。具体的には、ガイド7を中空形状の略六角柱形状で構成すれば、六角柱状の炭化珪素単結晶10とすることができる。この場合、六角形の角と六角形の中心とを通る対角線と炭化珪素単結晶基板3の<112-0>方向、あるいは<11-00>方向とを一致させれば、この方向に位置合わせされた炭化珪素単結晶10が得られる。

Claim (excerpt)：

容器(1、2)内に、種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記炭化珪素単結晶基板に炭化珪素原料の昇華ガスを供給することにより、前記炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素単結晶(10)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、前記炭化珪素単結晶基板の近傍において、該炭化珪素単結晶基板の外周を囲むように壁部材(7、7a、7b)を配置し、前記炭化珪素単結晶を結晶成長させる際に前記壁部材が炭化珪素の昇華温度よりも高温となるようにすることによって、前記炭化珪素単結晶の前記壁部材方向への成長を制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

F-Term (6)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077ED02 , 4G077EG20 , 4G077EG25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平2-030699
単結晶炭化ケイ素の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148835 Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (3)

特開平2-030699
特開平2-030699
単結晶炭化ケイ素の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148835 Applicant：三洋電機株式会社

Return to Previous Page