ターゲットおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村静男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996015028
Publication number (International publication number)：1997209134
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】高電気抵抗の透明導電膜を直流スパッタリング法によって製膜する際に使用されている従来の組成の酸化物焼結体からなるターゲットでは、成膜時に異常放電が誘発され易く、かつ、ターゲットの割れが起こり易いことから、安定した製膜を行うことが困難である。【解決手段】インジウム(In)と、チタン(Ti),イリジウム(Ir),イットリウム(Y),クロム(Cr),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),コバルト(Co),ビスマス(Bi)およびマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも1種の金属元素と、酸素(O)とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比(全金属原子)/(In+全金属原子)が2.0〜40at%、体積抵抗率が5×10-2Ω・cm以下である酸化物焼結体をターゲットとして用いる。

Claim (excerpt)：

インジウム(In)と、チタン(Ti),イリジウム(Ir),イットリウム(Y),クロム(Cr),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf),タンタル(Ta),コバルト(Co),ビスマス(Bi)およびマンガン(Mn)からなる群より選択された少なくとも1種の金属元素と、酸素(O)とを構成元素とし、前記群より選択された金属元素の総量の原子比(全金属原子)/(In+全金属原子)が2.0〜40at%である酸化物焼結体からなり、体積抵抗率が5×10-2Ω・cm以下であることを特徴とするターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C04B 35/495 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

FI (4)：

C23C 14/34 A , C23C 14/08 K , H01B 13/00 503 B , C04B 35/00 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-015106
スパツタリングによる透明導電性薄膜形成用高密度焼結ターゲツト材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-259903 Applicant：三菱マテリアル株式会社
特開平3-150252

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