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J-GLOBAL ID：200903078776038436

エンハンスメント型III族窒化物デバイス

Inventor：
ロバート ビーチ

About ロバート ビーチ


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション

About インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション


Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006551390
Publication number (International publication number)：2007534163
Application date： Jan. 24, 2005
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：
III族窒化物スイッチは、凹型のゲートコンタクトを含み、ノミナリーオフの、すなわち、エンハンスメント型のデバイスを提供する。凹型のゲートコンタクトを提供することにより、ゲート電極が不活性状態である場合には、2つのIII族窒化物材料の界面に形成された伝導チャンネルが遮断され、デバイス中の電流の流れを防止する。ゲート電極は、ショットキコンタクト又は絶縁金属コンタクトである可能性がある。2つのゲート電極が提供され、ノミナリーオフ特性の双方向スイッチを形成することが可能である。ゲート電極と共に形成された凹部は、傾斜した側壁を持つ可能性がある。デバイスの電流伝達電極に関連して、多くの形状にてゲート電極を形成することが可能である。
Claim (excerpt)：
第1のIII族窒化物材料と第2のIII族窒化物材料との間の界面に形成され、前記2つのIII族窒化物材料は異なる面内格子定数又は異なる禁止帯を有する伝導チャンネルと、 該伝導チャンネルに接続され、チャンネル電流を伝達する電流伝達電極と、 前記伝導チャンネルに接続され、かつ該伝導チャンネルが該伝導チャンネルにおける電流の伝導を可能とし、又は防止するべく影響を及ぼすように動作可能なゲート電極と、 該ゲート電極が非活性状態であるときに、前記界面にて前記伝導チャンネルが遮断されるように、前記III族窒化物材料の層の1つにおいて形成された修正部分と を備えたことを特徴とするエンハンスメント型III族窒化物デバイス。
IPC (4)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78
FI (2)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
F-Term (24)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR09 ,  5F102HC15 ,  5F140AA30 ,  5F140AC18 ,  5F140AC33 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BF43 ,  5F140BF46 ,  5F140BH30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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