電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997225077
Publication number (International publication number)：1998223901
Application date： Aug. 21, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜を用いることにより大きな入力振幅をとることができるGaN系の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】基板1の上にバッファ層2を介してチャネル層3とゲート絶縁膜4が順次積層され、その上にゲート電極7が配設されている。ソース電極5とドレイン電極6は、ゲート電極7を挟むようにして開口4a,4bを介してチャネル層3と電気的に接続されている。チャネル層3はn型のGaNにより構成され、ゲート絶縁膜4はAlNにより構成されている。AlNは絶縁性に優れているのでショットキー障壁が大きくなり、大きな入力振幅をとることができる。また、エンハンスメントモードの場合においては反転層を形成することができ、Si-MOSと同じような動作をさせることができる。

Claim (excerpt)：

ガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種のIII族元素と窒素(N)とを含むIII族ナイトライド化合物半導体によりチャネル層を形成してなる電界効果型トランジスタであって、ゲート電極とチャネル層との間にゲート絶縁膜を備えると共に、このゲート絶縁膜をIII族元素としてアルミニウムを少なくとも含むIII族ナイトライド化合物半導体により構成したことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

MIS形電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-259449 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
ゲート電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-049311 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭62-204578

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