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J-GLOBAL ID：200903078780694216

カーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法

Inventor： 佐々木 毅 ,  清水 禎樹 ,  越崎 直人 ,  寺嶋 和夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002077399
Publication number (International publication number)：2003277030
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】導電性を有する各種基板材料の表面上に、カーボンナノチューブを形成する際に、従来この種の分野で用いられてきた煩雑な手段であるマスキングやリソグラフィーといった技術を用いることなく、直接基板上に形成されたカーボンナノチューブの凝集体及びその製造方法の提供。【解決手段】カーボンナノチューブが円錐状物質として、密に成長・凝集させ、自己組織化された状態で得られものであるカーボンナノチューブのサイズが、直径50nm以下(50nmを除く)であり、面密度が0.5~3.0×109本/mm2の範囲にあり、かつ円錐状物質を形成していることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体配列膜。炭化水素ガスをプラズマアシストCVD法により処理し、カーボンナノチューブを円錐状物質として、蜜に成長・凝集させ、自己組織化された状態で得られものであることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体配列膜及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブが円錐状物質として、密に成長・凝集させ、自己組織化された状態で得られものであるカーボンナノチューブのサイズが、直径50nm以下(50nmを除く)であり、面密度が0.5~3.0×109本/mm2の範囲にあり、かつ円錐状物質を形成していることを特徴とするカーボンナノチューブ集合体配列膜。

F-Term (12)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AC03A ,  4G146AC14A ,  4G146AC30A ,  4G146AD23 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BA42 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301259   Applicant：日本真空技術株式会社