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J-GLOBAL ID：200903078803283863

電力用半導体装置

Inventor：
佐藤 哲男

About 佐藤 哲男


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001023788
Publication number (International publication number)：2002231944
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 可動イオンなどの影響を受け難く、耐圧が安定して得られる信頼性の高い電力用半導体装置を提供する。【解決手段】 n型ドリフト領域22の一方の主面21A側にp型のボディ領域23、このボディ領域23の内側にn型ソース領域24を形成し、ボディ領域23をドリフト領域22で包囲し、ボディ領域23の外側を離間して取り囲むp型第4半導体領域(FLR)25A,25B,25Cを互いに離間させて同心状に形成する。これらFLR25A,25B,25Cの上に第1絶縁膜26を介して第1導電膜27A,27B,27C,27Dを環状に形成する。第1導電膜は第1絶縁膜26等の絶縁膜中の可動イオンの移動を抑制し、FLR25A,25B,25Cのそれぞれの間のドリフト領域22に広がる空乏層へ可動イオンが影響を与えるのを防止する。
Claim (excerpt)：
第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の一方の主面側において前記第1半導体領域の内部に配置された第2導電型の第2半導体領域及び前記第1導電型の第3半導体領域と、前記一方の主面側において前記第2及び第3半導体領域を包囲する環状をなして配置された前記第2導電型の第4半導体領域と、前記一方の主面の上に形成された絶縁膜と、前記第2半導体領域から前記第4半導体領域に亙る領域において、前記絶縁膜の上部に配置された第1導電膜とを備えることを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (7)：
H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (9)：
H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 655 Z ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/80 C
F-Term (9)：
5F005AE09 ,  5F005AF02 ,  5F102FA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC07 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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