半導体発光装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006094875
Publication number (International publication number)：2007273562
Application date： Mar. 30, 2006
Publication date： Oct. 18, 2007
Summary：

【課題】高輝度の光を高い効率で出力することが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子を搭載する平面を有する基板(4)と、前記基板の前記平面に搭載され、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する半導体発光素子(2)と、前記半導体発光素子を覆って前記基板上に設けられた第1の光透過性層(31)と、前記第1の光透過性層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有し、蛍光体と基材とを含む蛍光体層(32)と、前記蛍光体層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有する第2の光透過性層(33)とを具備することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体発光素子を搭載する平面を有する基板と、前記基板の前記平面に搭載され、紫外光から可視光までの範囲内の光を放出する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を覆って前記基板上に設けられた第1の光透過性層と、前記第1の光透過性層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有し、蛍光体と基材とを含む蛍光体層と、前記蛍光体層の上に設けられ、前記基板の前記平面に達する端部を有する第2の光透過性層とを具備することを特徴とする半導体発光装置。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 N

F-Term (15)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041CA88 , 5F041DA07 , 5F041DA12 , 5F041DA13 , 5F041DA19 , 5F041DA32 , 5F041DA36 , 5F041DA42 , 5F041DA45 , 5F041DA57 , 5F041DA58 , 5F041DA82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

米国特許第5,962,971号
発光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-088604 Applicant：スタンレー電気株式会社
白色発光ダイオードの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-005579 Applicant：詮興開發科技股ふん有限公司

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Cited by examiner (7)

発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-199002 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-237492 Applicant：株式会社東芝
発光装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-055851 Applicant：豊田合成株式会社

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