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J-GLOBAL ID:200903019380939337
発光ダイオード
Inventor:
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,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮井 暎夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000009619
Publication number (International publication number):2001203392
Application date: Jan. 19, 2000
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 発光素子部の半導体内部からの光束の損失を抑え、封止樹脂外部へ有効に導出する。【解決手段】 発光素子部1を封止した発光ダイオードであって、発光素子部1との間に隙間が形成されないように、少なくともエポキシ樹脂5よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料(DLC3)で発光素子部1を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を低くすることで連続的、もしくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜2を形成した。これにより、発光素子部1を形成している屈折率が非常に大きな半導体と発光素子部1に接している材質の屈折率との差を小さくできる。このため、半導体内部から外へ出る光について全反射が生じにくくなり、発光素子部1から出てくる光を有効に外部へ導くことができ、全光束量が向上する。
Claim (excerpt):
発光素子部を封止した発光ダイオードであって、前記発光素子部との間に隙間が形成されないように、少なくともエポキシ樹脂よりも屈折率が高く、絶縁特性を持つ高屈折材料で前記発光素子部を囲み、外側へいくに従い材料の屈折率を低くすることで連続的、もしくは段階的に異なる屈折率を持つ光学的傾斜機能膜を形成したことを特徴とする発光ダイオード。
F-Term (9):
5F041AA03
, 5F041AA06
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DA44
, 5F041DA46
, 5F041DA57
, 5F041DA58
, 5F041DB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開昭62-022491
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半導体発光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-009386
Applicant:松下電子工業株式会社
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半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-221945
Applicant:シャープ株式会社
-
特開昭61-096780
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発光ダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-143157
Applicant:日亜化学工業株式会社
-
光記録媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-354524
Applicant:東ソー株式会社
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光半導体素子モジュールおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-266709
Applicant:三菱電機株式会社
-
化合物半導体光素子、発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-177805
Applicant:日立電線株式会社
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