半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995194884
Publication number (International publication number)：1997046000
Application date： Jul. 31, 1995
Publication date： Feb. 14, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体発光素子を形成するp型伝導性のII-VI族化合物薄膜とp型伝導性の基板結晶との間に形成される電位障壁を低減できる新たな緩衝層構造を提案し、p型伝導性基板結晶上に成長したII-VI族化合物薄膜からなる半導体発光素子の長寿命化と素子特性の向上を図る。【解決手段】p型の導電性を有するIII-V族化合物半導体もしくはGeからなる基板と、基板上に形成されたp型の導電性を有する緩衝層と、緩衝層上に形成されたII-VI族化合物半導体を活性層とする発光部を少なくとも有する半導体発光素子において、緩衝層は、Ge層とII-VI族化合物半導体層を交互に複数回積層された超格子であり、超格子のGe層は基板から遠ざかるにしたがい漸次薄くなるように配設すると同時に、II-VI族化合物半導体層は基板から遠ざかるにしたがい漸次厚くなるように配設した半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

p型の導電性を有するIII-V族化合物半導体もしくはGeからなる基板と、該基板上に形成されたp型の導電性を有する緩衝層と、該緩衝層上に形成されたII-VI族化合物半導体を活性層とする発光部を少なくとも有する半導体発光素子において、上記緩衝層は、Ge層とII-VI族化合物半導体層を交互に複数回積層した超格子からなり、該超格子のGe層は基板から遠ざかるにしたがい漸次薄くなるように配設すると同時に、上記II-VI族化合物半導体層は基板から遠ざかるにしたがい漸次厚くなるように配設してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

II-VI族化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-013364 Applicant：日本電気株式会社
固体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-086298 Applicant：新日本製鐵株式会社
化合物半導体成長用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-079718 Applicant：松下電器産業株式会社

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