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J-GLOBAL ID:200903078901738720

炭素ナノ構造体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 押田 良隆 ,  押田 良輝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006158333
Publication number (International publication number):2007326732
Application date: Jun. 07, 2006
Publication date: Dec. 20, 2007
Summary:
【課題】 大きな重量比表面積と同時に、体積比表面積を有する炭素ナノ構造体を得ることができ、さらに、該炭素ナノ構造体の細孔径を自在に制御できることにより、EDLC用電極として有用な炭素ナノ構造体を製造することができる炭素ナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る炭素ナノ構造体の製造方法は、ゼオライト細孔内部を鋳型として用い、該ゼオライト細孔内部に炭素を積層させて炭素構造体を形成する工程と、該ゼオライトを酸で溶解除去する工程と、該溶解除去工程により得られた炭素構造体をホットプレスすることにより、該炭素構造体の細孔径を縮小させ炭素ナノ構造体を得る工程と、からなることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
ゼオライト細孔内部を鋳型として用い、該ゼオライト細孔内部に炭素を積層させて炭素構造体を形成する工程と、該ゼオライトを酸で溶解除去する工程と、該溶解除去工程により得られた炭素構造体をホットプレスすることにより、該炭素構造体の細孔径を縮小させ炭素ナノ構造体を得る工程と、からなることを特徴とする炭素ナノ構造体の製造方法。
IPC (2):
C01B 31/02 ,  H01G 9/058
FI (2):
C01B31/02 101Z ,  H01G9/00 301A
F-Term (26):
4G146AA01 ,  4G146AB01 ,  4G146AC06A ,  4G146AC06B ,  4G146AC09B ,  4G146AC10B ,  4G146AC16B ,  4G146AC17B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AD11 ,  4G146AD23 ,  4G146BA11 ,  4G146BA18 ,  4G146BA48 ,  4G146BA49 ,  4G146BB06 ,  4G146BB10 ,  4G146BB21 ,  4G146BC01 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146CA01 ,  4G146CA11 ,  4G146CB03
Patent cited by the Patent:
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