炭素ナノ構造体及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：押田良隆 , 押田良輝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006158333
Publication number (International publication number)：2007326732
Application date： Jun. 07, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】大きな重量比表面積と同時に、体積比表面積を有する炭素ナノ構造体を得ることができ、さらに、該炭素ナノ構造体の細孔径を自在に制御できることにより、EDLC用電極として有用な炭素ナノ構造体を製造することができる炭素ナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る炭素ナノ構造体の製造方法は、ゼオライト細孔内部を鋳型として用い、該ゼオライト細孔内部に炭素を積層させて炭素構造体を形成する工程と、該ゼオライトを酸で溶解除去する工程と、該溶解除去工程により得られた炭素構造体をホットプレスすることにより、該炭素構造体の細孔径を縮小させ炭素ナノ構造体を得る工程と、からなることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゼオライト細孔内部を鋳型として用い、該ゼオライト細孔内部に炭素を積層させて炭素構造体を形成する工程と、該ゼオライトを酸で溶解除去する工程と、該溶解除去工程により得られた炭素構造体をホットプレスすることにより、該炭素構造体の細孔径を縮小させ炭素ナノ構造体を得る工程と、からなることを特徴とする炭素ナノ構造体の製造方法。

IPC (2)：

C01B 31/02 , H01G 9/058

FI (2)：

C01B31/02 101Z , H01G9/00 301A

F-Term (26)：

4G146AA01 , 4G146AB01 , 4G146AC06A , 4G146AC06B , 4G146AC09B , 4G146AC10B , 4G146AC16B , 4G146AC17B , 4G146AC22A , 4G146AC22B , 4G146AD11 , 4G146AD23 , 4G146BA11 , 4G146BA18 , 4G146BA48 , 4G146BA49 , 4G146BB06 , 4G146BB10 , 4G146BB21 , 4G146BC01 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC33B , 4G146CA01 , 4G146CA11 , 4G146CB03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ゼオライト-有機複合材およびモレキュラーシーブ由来の炭素ナノ構造体と当該炭素ナノ構造体の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-033152 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

ガス吸蔵材及びガス吸蔵装置、並びにカーボンナノチューブ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-430517 Applicant：トヨタ自動車株式会社
多孔質炭素材料およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-213398 Applicant：東ソー株式会社
炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-290291 Applicant：シャープ株式会社, 京谷隆

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ゼオライトを鋳型として調整したミクロポーラス炭素粉末のペレット化による高密度化

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