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J-GLOBAL ID:200903086134060090

炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 奥田 誠司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003290291
Publication number (International publication number):2005060146
Application date: Aug. 08, 2003
Publication date: Mar. 10, 2005
Summary:
【課題】FEDの電子源やバイオチップの作用電極に用いることのできる活性の高い炭素薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】陽極酸化によって形成したアルミナ2表面上に炭素を含む原料ガスを分解することにより、グラフェン1aを含む炭素薄膜1を形成する。炭素薄膜1の主表面1Sにおいてグラフェン1aの端部1Eは露出している。【選択図】図1
Claim (excerpt):
グラフェンを含む炭素薄膜であって、 前記炭素薄膜の主表面において前記グラフェンの端部が露出している炭素薄膜。
IPC (4):
C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02
FI (5):
C01B31/02 101Z ,  C01B31/02 101F ,  C23C16/26 ,  H01J9/02 B ,  H01J1/30 F
F-Term (28):
4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC19B ,  4G146AD05 ,  4G146AD23 ,  4G146AD29 ,  4G146AD32 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC08 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030CA06 ,  4K030FA10 ,  5C127AA01 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB08 ,  5C127CC03 ,  5C127DD08 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB08 ,  5C135HH02 ,  5C135HH06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 米国特許3665241号明細書
Cited by examiner (5)
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