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J-GLOBAL ID:200903078917369245

CVDダイヤモンド層

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997206397
Publication number (International publication number):1998146703
Application date: Jul. 31, 1997
Publication date: Jun. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】 CVDダイヤモンド層を提供すること。【解決手段】 研磨工具へのインサートとして用いるためのCVDダイヤモンド層であって、(i)層が少なくとも0.05原子%の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること;及び(ii)長さ18mm、幅2mm及び厚さ1.4mm以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも600MPaの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも300MPaの平均引張り破断強度を特徴とするCVDダイヤモンド層。
Claim (excerpt):
研磨工具へのインサートとして用いるためのCVDダイヤモンド層であって、(i)層が少なくとも0.05原子%の濃度でホウ素ドーパント原子を含有すること;及び(ii)長さ18mm、幅2mm及び厚さ1.4mm以下のサンプルに対して三点曲げ試験によって測定して、テンション状態にある成核相による少なくとも600MPaの平均引張り破断強度と、テンション状態にある成長面による少なくとも300MPaの平均引張り破断強度を特徴とするCVDダイヤモンド層。
IPC (4):
B23B 27/14 ,  B23P 15/28 ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04
FI (4):
B23B 27/14 A ,  B23P 15/28 A ,  C23C 16/26 ,  C30B 29/04 X
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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