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J-GLOBAL ID：200903078919478874

静電容量形近接センサ

Inventor： 小形 昭光
Applicant, Patent owner： オムロン株式会社
Agent (1)： 岡本 宜喜 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993193956
Publication number (International publication number)：1995029467
Application date： Jul. 09, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 センサ部を分離した静電容量形の近接センサにおいて、簡単な構造で特性を安定化させるようにすること。【構成】 センサ部を3層のプリント基板によって構成し、その第1層のパターンを検知電極12aとする。第1層に最も近い第2の層のパターンを同相シールドパターン12bとする。そしてこのパターン12bに隣接する第3層のパターンを第1,第2のパターンを保護するシールドアースパターン12cとする。こうすればセンサ部が3層基板で構成され、スイッチ主回路部に静電容量の変化によって発振する発振回路を設けることによって簡単な構造となる。又構造が固定されている3層基板を用いているため、特性を安定化させることができる。

Claim (excerpt)：

センサ部と主回路部とが分離された静電容量形近接センサにおいて、前記センサ部は、物体検知面に向けられ検知電極として用いられる第1層のパターン、前記検知電極をシールドする同相シールド電極として用いられ第1のパターンと微小ギャップを介して形成された第2層の同相シールドパターン、及び接地された第3層のパターンを有し、該第1〜第3層のパターンが多層化された少なくとも3層のプリント基板により形成されたものであり、前記主回路部は、前記センサ部の検知電極及びシールド電極が夫々シールドケーブルを介して接続され、検知電極が入力端、同相シールド電極が夫々出力端に接続されたバッファ回路を有し、前記センサ部の検知電極と物体との間の静電容量の変化に基づいた周波数で発振する発振回路と、前記発振回路の発振周波数の変化に基づいて物体の近接を検知する検知回路部と、を含むものであることを特徴とする静電容量形近接センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• エンドエフェクタ上の物品のセンサ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-525474   Applicant：ブルックスオートメーション,インク.