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J-GLOBAL ID:200903078938661183

熱電半導体合金の製造方法および熱電変換モジュールならびに熱電発電装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (7): 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005369885
Publication number (International publication number):2006203186
Application date: Dec. 22, 2005
Publication date: Aug. 03, 2006
Summary:
【課題】高性能な熱電変換モジュールや熱電発電装置とこれらを構成するためのハーフホイスラー合金の製造方法を提供する。【解決手段】一般式A3-xBxC(但し、AとBはFe、Co、Ni、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Nb、Mo、Ta、Wなどの遷移金属のうち少なくとも一種、CはAl、Ga、In、Si、Ge、Snなど13族または14族の元素のうち少なくとも一種)を溶湯から冷却速度1×102〜1×103°C/sの範囲で急冷凝固する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
溶湯から冷却速度1×102〜1×103°C/sの範囲で急冷凝固することを特徴とする一般式A3-xBxC(但し、AとBはFe、Co、Ni、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Nb、Mo、Ta、Wなどの遷移金属のうち少なくとも一種、CはAl、Ga、In、Si、Ge、Snなど13族または14族の元素のうち少なくとも一種)であるホイスラー合金の製造方法。
IPC (6):
H01L 35/20 ,  H01L 35/34 ,  C22C 13/00 ,  C22C 38/00 ,  C22C 1/02 ,  C22C 33/04
FI (6):
H01L35/20 ,  H01L35/34 ,  C22C13/00 ,  C22C38/00 304 ,  C22C1/02 503N ,  C22C33/04 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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