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J-GLOBAL ID：200903078950586960

レジストパターンの形成方法

Inventor： 開元 裕子 ,  武智 敏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991242081
Publication number (International publication number)：1993080533
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化学増幅型レジストに関し、遠紫外線を光源として庇状の突出部がない垂直な断面の形成が可能なレジストを提供することを目的とする。【構成】 被処理基板上に酸触媒により極性が変化する官能基をもつ第1のポリマーと光酸発生剤とからなる化学増幅型レジストを塗布し、プリベークした後、更に、このレジスト上に光酸発生剤を含みスチレン系ポリマまたはアクリレート系ポリマーよりなる第2のポリマーを塗布し、プレベークを行った後、選択露光を行い、ポストベークを行った後にアルカリ現像することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

Claim (excerpt)：

被処理基板上に酸触媒により極性が変化する官能基をもつ第1のポリマーと光酸発生剤とからなる化学増幅型レジストを塗布し、プリベークした後、更に該レジスト上に光酸発生剤を含む第2のポリマーを塗布し、プリベークした後、選択露光を行い、ポストベークを行った後にアルカリ現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 Q ,  H01L 21/30 361 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-174064   Applicant：大日本印刷株式会社
• 特開平4-077746